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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种具有应变补偿的大功率反极性LED及其制备方法，属于光电子技术领域。由下到上依次包括衬底、缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、粗化层、N型AlyIn1‑yP张应变限制层、压应变MQW量子阱有源层、P型AlzIn1‑zP张应变限制层、过渡层和欧姆接触层。本发明在应变多量子阱中引入补偿应变，晶格中的弹性形变直接影响其能带结构，特别是对价带的影响，应变势的引入可使重空穴带和轻空穴带分离，改变空穴的有效质量和态密度，进一步提升器件性能。
主权项：1.一种具有应变补偿的大功率反极性LED，其特征在于，由下到上依次包括衬底、缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、粗化层、N型AlyIn1-yP张应变限制层、压应变MQW量子阱有源层、P型AlzIn1-zP张应变限制层、过渡层和欧姆接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有应变补偿的大功率反极性LED及其制备方法
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