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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，属于轻掺单晶硅制备方法的技术领域，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，使得拉晶过程中，一方面，掺杂剂的有效分凝系数无限接近其平均分凝系数，进而掺杂剂进入晶体的量增大，晶体头部的电阻会降低，进而得到的晶棒的头部电阻下降；另一方面，通过调整上述参数，使得边界层的厚度降低，固液界面的杂质浓度降低，杂质的富集量也降低，进而降低晶棒因杂质富产生位错造成断棱的概率；再一方面，本发明得到的晶棒的氧含量低于5ppma，符合用于IGBT衬底的晶圆的要求。
主权项：1.一种用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，得到晶棒，以降低边界层的厚度，降低晶棒头部的电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法
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