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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种抗辐射加固Guard‑Gate锁存器电路结构，传输门S1连接Delay单元的一端，Delay单元的另一端作为Qd节点分别连接N型场效应晶体管Mn2的栅极和Mp2的栅极；Mn2的漏极和Mp2的漏极连接作为Qn节点连接三态门Sinv的输入，三态门Sinv的输出连接传输门S1和Delay单元形成Q节点；Mn2的源极分别连接Mn1的漏极和受控电流源Is2的一端，Mn1的源极和受控电流源Is2的另一端接地；Mp2的源极分别连接Mp1的漏极和受控电流源Is1的一端，Mp1的源极和受控电流源Is1的另一端连接电源vdd；Mn1的栅极和Mp1的栅极连接Q节点。可有效的提高GG‑Latch结构保持阶段的抗单粒子翻转能力。
主权项：1.一种抗辐射加固Guard-Gate锁存器电路结构，其特征在于，包括传输门S1、受控电流源Is1、受控电流源Is2、N型场效应晶体管Mn1、N型场效应晶体管Mn2、P型场效应晶体管Mp1、P型场效应晶体管Mp2、三态门Sinv、Delay单元；传输门S1连接Delay单元的一端，Delay单元的另一端作为Qd节点分别连接N型场效应晶体管Mn2的栅极和P型场效应晶体管Mp2的栅极；N型场效应晶体管Mn2的漏极和P型场效应晶体管Mp2的漏极连接作为Qn节点连接三态门Sinv的输入，三态门Sinv的输出连接传输门S1和Delay单元形成Q节点；N型场效应晶体管Mn2的源极分别连接N型场效应晶体管Mn1的漏极和受控电流源Is2的一端，N型场效应晶体管Mn1的源极和受控电流源Is2的另一端接地；P型场效应晶体管Mp2的源极分别连接P型场效应晶体管Mp1的漏极和受控电流源Is1的一端，P型场效应晶体管Mp1的源极和受控电流源Is1的另一端连接电源vdd；N型场效应晶体管Mn1的栅极和P型场效应晶体管Mp1的栅极连接Q节点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种抗辐射加固Guard-Gate锁存器电路结构
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