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申请/专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司
摘要：本发明涉及逻辑锁存芯片领域，具体涉及一种上电输出固定电平的逻辑锁存电路，包括输入模块、锁存模块和输出驱动模块；所述锁存模块包括MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管N0、MOS管N1和MOS管N2，由于MOS管N2的驱动能力相对于P2更强，则在上电瞬间，Din电压由MOS管N2钳制在低电平；由于MOS管P1和MOS管P0的驱动能力相对MOS管N1和MOS管N0更强，则信号被MOS管P1和MOS管P0钳制在高电平，最终使得Q0在上电瞬间固定在低电平，避免出现不定态的情况，从而避免出现MCU未初始化完毕时，外部设备被逻辑锁存芯片误触发启动的情况，导致系统异常。
主权项：1.一种上电输出固定电平的逻辑锁存电路，其特征在于，包括输入模块、锁存模块和输出驱动模块；所述锁存模块包括MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管N0、MOS管N1和MOS管N2；所述输入模块输出使能信号至输出驱动模块，所述输入模块输出锁存控制信号至MOS管P1和MOS管N1的栅极，所述输入模块输出数据输入信号至MOS管P1的漏极、MOS管N1的漏极、MOS管P2的栅极和MOS管N2的栅极；所述MOS管P0的源极、MOS管P2的源极和输出驱动模块的电源输入端与外部电源VDD电性连接；所述MOS管P0的漏极与MOS管P1的源极电性连接，所述MOS管P0的栅极与MOS管N0的栅极、MOS管P2的漏极和MOS管N2的漏极电性连接，并作为输出端输出Din信号至输出驱动模块；所述MOS管N1的源极与MOS管N0的漏极电性连接，所述MOS管N0的源极、MOS管N2的源极均接地；并且满足以下条件：所述MOS管N2的驱动能力大于MOS管P2的驱动能力；所述MOS管P1、MOS管P0的驱动能力大于MOS管N1、MOS管N0；所述MOS管N2的驱动能力大于MOS管P1、MOS管P0的驱动能力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门元顺微电子技术有限公司 一种上电输出固定电平的逻辑锁存电路
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