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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器及制备方法，底层氧化硅和底硅构成探测器载片基底，底层氧化硅上方设有顶硅；顶层氧化硅设于顶硅上方，在顶层氧化硅中设有具有电极的左右两个穿孔窗口，金手性超表面底部与硅手性超表面顶部接触，氮化硼覆盖于金手性超表面和硅手性超表面上方，氮化硼、金手性超表面与硅手性超表面设于顶层氧化硅的左侧穿孔窗口内，石墨烯覆盖于氮化硼和左窗口电极上方；金属硅化物设于顶层氧化硅中的右侧穿孔窗口内，金属硅化物的顶部与右窗口电极相接触。本发明可片上集成，实现高分辨圆偏振光红外宽带探测，有利于抗干扰去雾的成像探测，并且无需制冷，在室温条件下即可工作。
主权项：1.一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器，其特征在于，该光电探测器包括：底硅，其上具有底层氧化硅，共同构成探测器载片基底；顶硅，设于底层氧化硅上方，顶硅上具有带有左右两个穿孔窗口的顶层底层氧化硅；左右两个穿孔窗口的上层周围分别设有相连接形成探测器通路的左窗口电极与右窗口电极；硅手性超表面，设于顶层氧化硅的左侧穿孔窗口内底部；金手性超表面，底部与硅手性超表面顶部接触，形成复合手性超表面；氮化硼，覆盖于复合手性超表面上方；石墨烯，覆盖于氮化硼和左窗口电极；金属硅化物，设于顶层氧化硅中的右侧穿孔窗口内，与右窗口电极相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种片上手性高分辨红外宽带光电探测器及制备方法
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