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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要：本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。
主权项：1.一种用于套刻精度测量的标记系统，其特征在于，所述系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；所述第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，所述两个条型标记的长度均为100nm～200nm；所述第二套刻标记包括多个方型标记，所述方型标记的的尺寸为50nm～100nm；其中，所述第一套刻标记和所述第二套刻标记与实际图案的形态相同，所述十字型限定出四个空间，所述四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记，并且所述条型标记和所述方型标记均是在掩模上通过设置光栅方式并采用双重图案技术形成在图案层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 真芯(北京)半导体有限责任公司 用于套刻精度测量的标记系统及量测方法
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