首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

太阳能电池和太阳能电池的制造方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:天合光能股份有限公司

摘要:本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法,该太阳能电池包括:硅基底,具有相对的正面和背面;第一正面隧穿层和第一正面掺杂层,依次设置在正面上;第二正面隧穿层和第二正面掺杂层,依次设置在第一正面掺杂层的局部区域上,第一正面掺杂层的掺杂浓度和厚度小于第二正面掺杂层;第一背面隧穿层和第一背面掺杂层,依次设置在背面上;第二背面隧穿层和第二背面掺杂层,依次设置在第一背面掺杂层的局部区域上,第一背面掺杂层的掺杂浓度和厚度小于第二背面掺杂层;第一电极和第二电极,第一电极与第二正面掺杂层接触,第二电极与第二背面掺杂层接触。本申请的太阳能电池和太阳能电池的制造方法能够减少金属复合和降低寄生吸收。

主权项:1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:硅基底,具有相对的正面和背面;第一正面隧穿层和第一正面掺杂层,依次设置在所述正面上;第二正面隧穿层和第二正面掺杂层,依次设置在所述第一正面掺杂层的局部区域上,所述第一正面掺杂层的掺杂浓度和厚度小于所述第二正面掺杂层;第一背面隧穿层和第一背面掺杂层,依次设置在所述背面上;第二背面隧穿层和第二背面掺杂层,依次设置在所述第一背面掺杂层的局部区域上,所述第一背面掺杂层的掺杂浓度和厚度小于所述第二背面掺杂层;以及第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二正面掺杂层接触,所述第二电极与所述第二背面掺杂层接触,其中,所述第一正面掺杂层和所述第二正面掺杂层的掺杂类型与所述第一背面掺杂层和所述第二背面掺杂层的掺杂类型相反。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。