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申请/专利权人:苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
摘要:本发明涉及激光器技术领域,公开一种半导体激光器,包括半导体衬底层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、盖层、介质层、第一电极和第二电极。有源层适于受电激励产生光子,光子持续经过有源层获得增益发生受激辐射放大,同时弥补谐振腔内部的光损耗及从腔面的激光输出引起的光损耗,实现激光输出;增益关于光波长的二阶导数的绝对值与损耗关于光波长的二阶导数绝对值的比值满足:。将增益关于光波长的二阶导数的绝对值与损耗关于光波长的二阶导数绝对值的比值限定在一较小值附近,则由增益和损耗共同决定的半导体激光器的工作波长不会随温度变化发生明显偏移,实现半导体激光器的低温漂,制作成本更低,易量产可靠性高。
主权项:1.一种半导体激光器,包括:半导体衬底层,位于所述半导体衬底层一侧的下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、盖层、介质层和第一电极,以及位于所述半导体衬底层另一侧的第二电极;其特征在于,所述有源层适于受电激励产生光子,所述光子持续经过所述有源层获得增益,且在所述半导体激光器内部及腔面发生损耗,所述增益关于光波长的二阶导数为,所述损耗关于光波长的二阶导数为;所述增益关于光波长的二阶导数的绝对值与所述损耗关于光波长的二阶导数绝对值的比值满足:。
全文数据:
权利要求:
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