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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
摘要：本发明提供一种键合片边缘处理方法及键合片，先对有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理，再利用酸性刻蚀剂进行刻蚀处理，在对有源硅层边缘进行研磨时，会对有源硅层边缘造成损伤，在对有源硅层进行研磨之后，通过刻蚀工艺可以去除有源硅层边缘的损伤部分，对有源硅层边缘形貌进行修饰，另外，相较于碱性刻蚀剂TMAH，酸性刻蚀剂的SiSiO2刻蚀选择比更大，因此可以形成均匀性更好的刻蚀表面，另外，酸性刻蚀剂具有各向同性的特点，可以横向和纵向同时刻蚀，因此可以加快边缘处理时间及减少边缘的缺陷，如此，便使得键合片在进行边缘处理后具有优异边缘形貌。
主权项：1.一种键合片边缘处理方法，所述键合片包括衬底硅层、有源硅层和绝缘埋氧层，所述绝缘埋氧层位于所述衬底硅层和所述有源硅层之间，其特征在于，所述边缘处理方法包括：对所述有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理，并保留部分厚度的所述未键合区域；执行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括第一次选择性刻蚀，所述第一次选择性刻蚀用于完全去除所述未键合区域，所述第一次选择性刻蚀所采用的刻蚀剂为SiSiO2的刻蚀选择比大于或等于10：1的酸性刻蚀剂。
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权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合片边缘处理方法及键合片
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