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申请/专利权人:上海新傲芯翼科技有限公司
摘要:本发明提供一种键合片边缘处理方法及键合片,先对有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理,再利用酸性刻蚀剂进行刻蚀处理,在对有源硅层边缘进行研磨时,会对有源硅层边缘造成损伤,在对有源硅层进行研磨之后,通过刻蚀工艺可以去除有源硅层边缘的损伤部分,对有源硅层边缘形貌进行修饰,另外,相较于碱性刻蚀剂TMAH,酸性刻蚀剂的SiSiO2刻蚀选择比更大,因此可以形成均匀性更好的刻蚀表面,另外,酸性刻蚀剂具有各向同性的特点,可以横向和纵向同时刻蚀,因此可以加快边缘处理时间及减少边缘的缺陷,如此,便使得键合片在进行边缘处理后具有优异边缘形貌。
主权项:1.一种键合片边缘处理方法,所述键合片包括衬底硅层、有源硅层和绝缘埋氧层,所述绝缘埋氧层位于所述衬底硅层和所述有源硅层之间,其特征在于,所述边缘处理方法包括:对所述有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理,并保留部分厚度的所述未键合区域;执行刻蚀工艺,所述刻蚀工艺包括第一次选择性刻蚀,所述第一次选择性刻蚀用于完全去除所述未键合区域,所述第一次选择性刻蚀所采用的刻蚀剂为SiSiO2的刻蚀选择比大于或等于10:1的酸性刻蚀剂。
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