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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件模型的建模方法、设备和存储介质，该方法包括：在历史数据中提取模型参数以及模型参数对应的温度，历史数据是对集成有目标器件的晶圆进行量测得到的数据，该模型参数包括结构参数和特性参数，结构参数用于表征目标器件的几何结构，特性参数用于表征目标器件的物理特性；通过模型参数建立温度补偿模型，温度补偿模型用于补偿失配参数在不同温度下的变化，失配参数是特性参数中会受到半导体制造工艺的波动而产生偏差的参数；基于模型参数和温度补偿模型建立失配模型，失配模型用于表征失配参数在结构参数和温度影响下的偏差。
主权项：1.一种半导体器件模型的建模方法，其特征在于，包括：在历史数据中提取模型参数以及所述模型参数对应的温度，所述历史数据是对集成有目标器件的晶圆进行量测得到的数据，所述模型参数包括结构参数和特性参数，所述结构参数用于表征所述目标器件的几何结构，所述特性参数用于表征所述目标器件的物理特性；通过所述模型参数建立温度补偿模型，所述温度补偿模型用于补偿失配参数在不同温度下的变化，所述失配参数是所述特性参数中会受到半导体制造工艺的波动而产生偏差的参数；基于所述模型参数和所述温度补偿模型建立失配模型，所述失配模型用于表征所述失配参数在所述结构参数和温度影响下的偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 半导体器件模型的建模方法、设备和存储介质
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