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申请/专利权人:四川启睿克科技有限公司;四川长虹电子控股集团有限公司
摘要:本发明公开了一种GaN基Micro‑LED结构,包括:从底部至顶部依次设置的金属阳极、P‑GaN空穴传输层、GaN量子阱、N‑GaN电子传输层和光电阴极,其特征在于,所述光电阴极的顶部设置有由多个金属颗粒构成的金属超表面阵列,所述金属超表面阵列的顶部沉积有表面氧化物沉积层,所述金属超表面阵列的结构参数与光电激发后产生光波的中心波长匹配,使其在中心波长处产生谐振响应;本发明还公开了一种GaN基Micro‑LED结构的制备方法,本发明通过构筑超表面结构进行设计优化,提高了GaN基绿光MicroLED的光提取效率。
主权项:1.一种GaN基Micro-LED结构,包括:从底部至顶部依次设置的金属阳极、P-GaN空穴传输层、GaN量子阱、N-GaN电子传输层和光电阴极,其特征在于,所述光电阴极的顶部设置有由多个金属颗粒构成的金属超表面阵列,所述金属超表面阵列的顶部沉积有表面氧化物沉积层,所述金属超表面阵列的结构参数与光电激发后产生光波的中心波长匹配,使其在中心波长处产生谐振响应。
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百度查询: 四川启睿克科技有限公司 四川长虹电子控股集团有限公司 一种GaN基Micro-LED结构及其制备方法
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