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申请/专利权人：环晟光伏(江苏)有限公司
摘要：本发明提供了一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法，涉及太阳能电池的技术领域。所述降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法包括以下步骤：在N型晶体硅基体的背面形成第一隧穿氧化层；在所述第一隧穿氧化层上沉积本征多晶硅层和第二隧穿氧化层；在所述第二隧穿氧化层上沉积磷掺杂多晶硅层和第三隧穿氧化层；在所述第三隧穿氧化层上形成透明导电薄膜。本发明所述制备方法能够明显减少寄生吸收，并充分增加光利用率，从而进一步地提升电池片效率。
主权项：1.一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在N型晶体硅基体的背面形成第一隧穿氧化层；在所述第一隧穿氧化层上沉积本征多晶硅层和第二隧穿氧化层；在所述第二隧穿氧化层上沉积磷掺杂多晶硅层和第三隧穿氧化层；在所述第三隧穿氧化层上形成透明导电薄膜。
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百度查询： 环晟光伏(江苏)有限公司 一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法
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