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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种能够减少寄生电荷量的SiCVDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P体区以及N体区；其中，所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极；所述P体区包括轻掺杂P阱一、重掺杂P阱一、轻掺杂P阱二、重掺杂P阱二、重掺杂P阱三以及轻掺杂P阱三，其中相邻MOS元胞之间的重掺杂P阱三、轻掺杂P阱三共为一体。本发明通过将P体区中显强电荷导通性区域与显弱电荷导通性区域进行交替排布，这样在栅极接入栅电压并形成沟道之后，其P体区的另一端由于这种交替设计，可以削减在P体区的另一端集中堆积情况，从而来提高该MOS半导体导通后的稳定性。
主权项：1.一种能够减少寄生电荷量的SiCVDMOSFET结构，其特征在于，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层2、扩散层3、P体区以及N体区；其中，所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极1，所述MOS元胞结构的顶层欧姆连接有金属源极4，并且单个所述MOS元胞结构与金属源极4之间嵌设有栅极6；所述P体区包括轻掺杂P阱一9、重掺杂P阱一11、轻掺杂P阱二12、重掺杂P阱二13、重掺杂P阱三14以及轻掺杂P阱三15，其中相邻MOS元胞之间的重掺杂P阱三14、轻掺杂P阱三15共为一体；所述N体区包括重掺杂N阱层一7、轻掺杂N阱层一8以及轻掺杂N阱层二10，所述重掺杂N阱层一7、轻掺杂N阱层一8以及轻掺杂N阱层二10均与金属源极4欧姆短接，其中重掺杂N阱层一7仅远离栅极6一端与金属源极4欧姆短接；所述扩散层3的上层离子注入形成有重掺杂N阱层二17。
全文数据：
权利要求：
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