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一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管及其制作方法 

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申请/专利权人:南京大学

摘要:本发明提供了一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法:1在玻璃基底表面用钼片掩模,热蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层,再蒸镀金电极作为源电极和漏电极,然后利用光刻在金电极上做出预设的栅极图案;2用湿法刻蚀去除多余的铬和金,将栅极图案中连接着的金电极分隔成源电极和漏电极;3用掩模版热蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极,然后用氧等离子体处理栅电极,在铝上原位生长氧化铝作为介电层;4将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中超声5min两次,再将溶液换为丙酮继续超声5min后换为异丙醇超声5min后用氮气吹干。本发明制作方法制作的晶体管电极处于同一水平高度,该结构能够保证寄生重叠为0,将寄生电容完全消除。

主权项:1.一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管,其特征在于,其包括:基底(1)、源电极(301)、栅电极(501)、介电层(502)、漏电极(302);源电极(301)、栅电极(501)和漏电极(302)设置在基底(1)上;介电层(502)位于栅电极(501)上;源电极(301)和漏电极(302)与基底(1)之间分别设置有黏附层(2);源电极(301)、栅电极(501)和漏电极(302)处于同一水平高度,器件的整体高度控制为20-30nm,同一水平高度的结构保证寄生重叠为0,将寄生电容完全消除;所述基底(1)的材料为玻璃或硅中的一种,源电极(301)和漏电极(302)的材料为金,金的厚度为20-30nm;所述栅电极(501)的材料为铝,铝的厚度为20-30nm;介电层(502)的材料为氧化铝;所述黏附层(2)的材料为铬,铬的厚度为2nm。

全文数据:

权利要求:

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