龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：电导魔方股份有限公司
摘要：公开了一种形成氧化镍与氧化镓之间的pn异质结的方法。所述方法包括：通过使用蚀刻掩模蚀刻在n型氧化镓衬底上外延生长的n型氧化镓外延层来形成沟槽，通过在氩气和氧气的混合气体气氛中在所述n型氧化镓外延层上溅射氧化镍靶来在所述沟槽的底部上形成p型氧化镍区域，和通过在氩气气氛中在所述n型氧化镓外延层上溅射镍靶来在所述p型氧化镍区域上形成镍层。
主权项：1.一种形成NiO-Ga2O3异质结的方法，包括：通过使用蚀刻掩模蚀刻在n型氧化镓衬底上外延生长的n型氧化镓外延层来形成沟槽；通过在氩气和氧气的混合气体气氛中，在所述n型氧化镓外延层上溅射氧化镍靶，在所述沟槽的底部上形成p型氧化镍区域；和通过在氩气气氛中，在所述n型氧化镓外延层上溅射镍靶，在所述p型氧化镍区域上形成镍层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电导魔方股份有限公司 形成氧化镍与氧化镓之间的PN异质结的方法和通过该方法制造的肖特基二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号