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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、隔离结构以及电容器。所述第一晶体管与所述第二晶体管设置于基底上。所述隔离结构设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述基底中。所述电容器设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间。所述电容器包括主体部分、第一延伸部分以及第二延伸部分。所述第一延伸部分自所述主体部分延伸至所述隔离结构的一侧的所述基底中且与所述第一晶体管的源极漏极区连接。所述第二延伸部分自所述主体部分延伸至所述隔离结构的另一侧的所述基底中且与所述第二晶体管的源极漏极区连接。所述第一延伸部分的宽度与所述第二延伸部分的宽度自所述隔离结构的顶面朝下减小。
主权项：1.一种存储器结构，其特征在于，该存储器结构包括：第一晶体管与第二晶体管，设置于基底上；隔离结构，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述基底中；以及电容器，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，且包括：主体部分，设置于所述隔离结构上方；第一延伸部分，自所述主体部分延伸至所述隔离结构的一侧的所述基底中且与所述第一晶体管的源极漏极区连接；以及第二延伸部分，自所述主体部分延伸至所述隔离结构的另一侧的所述基底中且与所述第二晶体管的源极漏极区连接，其中所述第一延伸部分的宽度与所述第二延伸部分的宽度自所述隔离结构的顶面朝下减小，其中所述电容器由下电极、上电极以及位于所述下电极与所述上电极之间的绝缘层构成，且所述主体部分、所述第一延伸部分与所述第二延伸部分各自包括所述下电极、所述上电极以及所述绝缘层。
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