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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：公开了一种在光刻工艺中减小与晶片上的结构相关联的误差的变异性的方法。该方法包括基于图像或多个图像来确定图像中由于SEM畸变而引起的第一误差，所述图像基于通过扫描电子显微镜SEM对晶片的扫描而获取。该方法还包括基于图像来确定与该结构的真实误差相关联的第二误差，其中与该结构相关联的误差包括第一误差和第二误差。由数据处理器生成命令，该命令启用基于减小第一误差或第二误差中的任一项的对光刻工艺的修改以及对误差的变异性的相关联的减小。
主权项：1.一种在光刻工艺中减小误差的变异性的方法，所述误差与晶片上的结构相关联，所述方法包括：基于图像来确定所述图像中由于扫描电子显微镜SEM畸变而引起的第一误差，所述图像基于通过SEM对所述晶片的扫描而被获取；基于所述图像来确定与所述结构的真实误差相关联的第二误差，其中与所述结构相关联的所述误差包括所述第一误差和所述第二误差；以及由数据处理器生成命令，所述命令启用基于减小所述第一误差或所述第二误差中的任一项的对所述光刻工艺的修改和对所述误差的所述变异性的相关联的减小，其中所述误差部分地通过对与所述SEM的视场中的多个相邻特征相对应的多个局部误差求平均来确定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 随机EPE中的SEM FOV指纹和大型FOV SEM装置中的放置测量
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