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申请/专利权人:日产化学株式会社
摘要:本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物,所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂,且上述水解性硅烷化合物包含下述式1表示的水解性硅烷。R1aR2bSiR34‑a+b1。
主权项:1.一种膜形成用组合物,其特征在于,包含:水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由每分子中具有2个以上甲氧基亚甲基的氨基塑料交联剂及每分子中具有2个以上羟基亚甲基的酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种、和溶剂,所述水解性硅烷化合物包含下述式1表示的水解性硅烷、下述式2所示的水解性硅烷和下述式3所示的水解性硅烷:R1SiR331式1中,R1是通过Si-C键与硅原子键合的基团,表示包含选自烷氧基甲基苯结构、苯氧基结构及环氧基结构中的至少1种结构的有机基团;R3是与硅原子键合的基团或原子,且相互独立地表示羟基、烷氧基、芳烷氧基、酰氧基或卤素原子,SiR1142式2中,R11是与硅原子键合的基团或原子,且相互独立地表示羟基、烷氧基、芳烷氧基、酰氧基或卤素原子,R12SiR1333式3中,R12是通过Si-C键与硅原子键合的基团,且相互独立地表示被取代的烷基或未被取代的烷基、被取代的芳基或未被取代的芳基、被取代的芳烷基或未被取代的芳烷基、被取代的卤代烷基或未被取代的卤代烷基、被取代的卤代芳基或未被取代的卤代芳基、被取代的卤代芳烷基或未被取代的卤代芳烷基、被取代的烷氧基烷基或未被取代的烷氧基烷基、被取代的烷氧基芳基或未被取代的烷氧基芳基、被取代的烷氧基芳烷基或未被取代的烷氧基芳烷基、或被取代的烯基或未被取代的烯基;R13是与硅原子键合的基团或原子,且相互独立地表示羟基、烷氧基、芳烷氧基、酰氧基或卤素原子,所述水解缩合物以0.1摩尔%~15摩尔%的比例含有所述式1表示的水解性硅烷的单体单元。
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