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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上进行至少一次功函数层特征形成工艺，功函数层特征形成工艺的步骤包括：在同一沉积设备中，在基底上依次连续形成功函数材料层以及覆盖功函数材料层的防氧化层；采用刻蚀工艺依次图形化防氧化层和功函数材料层，剩余的功函数材料层作为功函数层；去除防氧化层。所述功函数材料层和防氧化层在同一沉积设备中依次连续形成，在形成防氧化层之前，功函数材料层未经历破真空处理，且通过形成防氧化层，能够降低功函数材料层在后续图形化工艺中被氧化的概率，改善功函数层被氧化的问题，从而避免对晶体管的阈值电压以及栅极结构电阻产生不良影响，进而提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上进行至少一次功函数层特征形成工艺，所述功函数层特征形成工艺的步骤包括：在同一沉积设备中，在所述基底上依次连续形成功函数材料层以及覆盖所述功函数材料层的防氧化层，所述防氧化层用于防止所述功函数材料层接触空气环境；在所述防氧化层上形成掩膜层；以所述掩膜层作为刻蚀掩膜，采用刻蚀工艺依次图形化所述防氧化层和功函数材料层，剩余的所述功函数材料层作为功函数层；去除所述掩膜层，且在去除所述掩膜层的过程中去除所述防氧化层。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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