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申请/专利权人：西京学院
摘要：本发明公开了一种中空碳球限域SnSe复合物及其制备与应用，该复合物包含分布均匀的中空球状结构的碳材料和生长在碳材料壳内的SnSe纳米粒子；所述碳材料的壳层厚度平均为20nm。本发明解决了现有技术的电化学储钾性能不佳的问题。本发明的反应条件温和，制备过程简单，产物形貌均匀，且反应过程易于控制。该复合物的内部空腔结构可以为SnSe在电化学反应过程中产生的体积膨胀提供向内的缓冲空间，从而有效提高复合物的结构稳定性；该复合物中壳层厚度平均为20nm的碳材料既可部分抑制SnSe的体积膨胀，又可实现钾离子的快速迁移，实现较快的反应动力学，从而实现高性能储钾。
主权项：1.一种中空碳球限域SnSe复合物，其特征在于，该复合物包含分布均匀的中空球状结构的碳材料和生长在碳材料壳内的SnSe纳米粒子；所述碳材料的壳层厚度平均为20nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西京学院 一种中空碳球限域SnSe复合物及其制备与应用
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