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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种Ag掺杂的SnSe基热电材料的制备方法，分别将硝酸银按照不同的比例置于氯化亚锡的前驱体溶液中混合均匀，加入硼氢化钠和乙二胺四乙酸溶液进行反应，之后经过压片和管式炉烧结就得到了Ag掺杂的SnSe基热电材料。本发明通过水热法制备的SnAgSe热电材料会促使更多银离子融入SnSe基体，不会产生对性能有害的第二相。利用本发明提供的方法来优化SnSe基材料的电导率，同时也保留了其自身低热导率的特点，效果最好的热电材料在500℃下ZT值达到1.14，在中温区展现出广泛的应用前景。
主权项：1.一种Ag掺杂的SnSe基热电材料的制备方法，其特征在于：通过水热法将Ag+掺杂到SnSe基体中制备得到一种p型热电材料，具体制备步骤如下：1在去离子水中依次溶解SnCl2·5H2O、Se粉、EDTA、NaBH4和AgNO3，得到混合溶液；2将步骤1得到的混合溶液进行水热反应；3水热反应结束后进行离心、清洗和干燥，得到干燥粉末；4将步骤3得到的干燥粉末进行压片后，在管式炉中进行烧结，得到p型Ag掺杂的SnSe复合热电材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种Ag掺杂的SnSe基热电材料的制备方法
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