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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供一种前照式SPAD器件及其制备方法，通过将SPAD结构上方的介质阻挡层刻蚀去除，使得SAPD结构对光的探测效率得以增加。
主权项：1.一种制备前照式SPAD器件的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有SPAD结构；于所述半导体衬底上形成多层金属互连层，相邻两个所述金属互连层之间及最上层的所述金属互连层上均形成有介质阻挡层，且各所述介质阻挡层位于所述SPAD结构上方的部分被刻蚀去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 前照式SPAD器件及其制备方法
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