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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种SONOS器件的制造方法及SONOS器件，属于半导体领域。该SONOS器件的制造方法包括S1：提供衬底，并在所述衬底上至少分别形成ONO区域和外围逻辑区域；S2：在所述ONO区域和外围逻辑区域通过炉管氧化工艺分别沉积前置氧化层；S3：在所述前置氧化层的表面生长ONO结构层，所述ONO结构层的顶层为第二氧化层；S4：将所述外围逻辑区域的ONO结构层和前置氧化层，以及所述ONO区域的第二氧化层去除；S5：接着，采用ISSG法在所述ONO区域和外围逻辑区域沉积薄膜层。本发明通过将采用炉管氧化工艺在衬底生长前置氧化层，替代传统的工艺ISSG法生长工艺，能够减少一层湿法刻蚀及ISSG法沉积工艺，在整个工艺过程中，只采用一道ISSG法生产工艺，整个制程中减少两道ISSG制程，有效的减少了热处理对晶圆造成的翘曲影响，极大的改善了后续工艺的对准及稳定性，同时满足外围逻辑区域及ONO区域的电性匹配。
主权项：1.一种SONOS器件的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供衬底，并在所述衬底上至少分别形成ONO区域和外围逻辑区域；S2：在所述ONO区域和外围逻辑区域通过炉管氧化工艺分别沉积前置氧化层；S3：在所述前置氧化层的表面生长ONO结构层，所述ONO结构层的顶层为第二氧化层；S4：将所述外围逻辑区域的ONO结构层和前置氧化层，以及所述ONO区域的第二氧化层去除；S5：接着，采用ISSG法在所述ONO区域和外围逻辑区域沉积薄膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 SONOS器件的制造方法及SONOS器件
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