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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种GaN基的单晶半导体激光芯片及其制备方法。该半导体激光芯片包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述下限制层包括第一下限制层和第二下限制层；该半导体激光芯片通过增设单晶谐振等离子热电层产生极大的纳米尺度光限域和选择吸收谐振光谱，诱发形成局域温度梯度，从而提升激光器的散热功能，解决应力双折射问题和激光光束失真问题，提升光束质量因子，同时，通过热引发质子转移调控受体和供电子能量势垒，产生电子多重散射，以及通过调控电荷分离态与声子散射和声子传输，降低斯托克斯频移的热损耗，从而降低激光器的阈值并提升光功率与斜率效率。
主权项：1.一种GaN基的单晶半导体激光芯片，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于，所述下限制层包括第一下限制层和第二下限制层，所述衬底、第一下限制层、第二下限制层、下波导层每两组相邻的材料层之间均增设有单晶谐振等离子热电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种GaN基的单晶半导体激光芯片及其制备方法
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