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申请/专利权人：住友重机械工业株式会社
摘要：本发明提供一种能够抑制半导体晶片的非照射面的温度上升并且能够高效地对照射面进行加热的激光退火方法。使激光脉冲周期性地入射于半导体晶片从而进行退火。此时，使下一周期的激光脉冲入射于基于上一次的激光脉冲的入射而温度上升后处于冷却过程中的位置。
主权项：1.一种激光退火方法，其为使绿色波长区域的脉冲激光束的激光脉冲周期性地入射于半导体晶片，并且以使光束点的区域与上一次的激光脉冲的光束点的区域部分重叠的方式一边使光束点相对于所述半导体晶片移动一边进行退火的方法，所述激光退火方法的特征在于，将脉冲的重复频率设为100kHz以上，将脉冲宽度设为10ns以上且100ns以下，在表面温度下降相当于基于上一次的激光脉冲的入射而引起的所述半导体晶片的表面温度的上升宽度的99％的温度宽度的时刻之前，使下一周期的激光脉冲入射。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友重机械工业株式会社 激光退火方法及激光控制装置
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