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一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 

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申请/专利权人:山西中科潞安紫外光电科技有限公司

摘要:本发明属于AlN薄膜制备技术领域,具体涉及一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法,制备方法包括下列步骤:在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜;制备具有高低分布特征的AlN薄膜;对AlN薄膜进行退火;对AlN薄膜进行第一阶段生长;对AlN薄膜进行第二阶段生长。本发明通过优化磁控溅射工艺,成功制备同时具有间隔分布及高低分布特征的AlN薄膜,减少蓝宝石衬底与AlN溅射层、AlN溅射层与MOCVD生产AlN薄膜层应力集中及位错密度,在磁控溅射技术优化基础上,通过退火及MOCVD生长技术优化,进而成功制备出低应力、较低位错密度的高质量AlN薄膜。

主权项:1.一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:S1、在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜,溅射具有间隔分布特征的AlN薄膜呈不连续孔状;S2、在S1的基础上,溅射具有高低分布特征的AlN薄膜,溅射产生的AlN分子优先附着在S1中AlN薄膜的籽晶表面,S1中具有间隔分布特征的AlN薄膜会进一步加剧AlN溅射沉积的不均匀性,S1中AlN薄膜的孔中不易沉积AlN,而在S1中形成的AlN薄膜表面更易积聚AlN,从而产生具有高低分布特征的AlN薄膜;S3、对S2中制备的AlN薄膜进行退火;S4、对AlN薄膜进行第一阶段生长;S5、对AlN薄膜进行第二阶段生长。

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权利要求:

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