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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的测试结构，包括：衬底、多个栅极、多个第一源极互连线、多个第二源极互连线、多个第一漏极互连线、多个第二漏极互连线、多个第三源极互连线和多个第三漏极互连线；衬底包括多个源极和多个漏极；沿第二方向源极和漏极依次间隔位于相邻两个栅极之间的衬底中；一个第一源极互连线和一个第二源极互连线位于一个源极上且与源极连接；一个第一漏极互连线和一个第二漏极互连线位于一个漏极上且与漏极连接；一个第三源极互连线位于一个第二源极互连线上且与第二源极互连线连接，一个第三漏极互连线位于一个第一漏极互连线上且与第一漏极互连线连接；本发明实现提升测试结构的输出特性曲线的精度。
主权项：1.一种MOS晶体管的测试结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括多个源极和多个漏极；多个栅极，位于所述衬底上，且沿第一方向延伸且沿第二方向排列，多个所述栅极并联连接，且沿所述第二方向所述源极和所述漏极依次间隔位于相邻两个所述栅极之间的衬底中；多个第一源极互连线和多个第二源极互连线，一个所述第一源极互连线和一个所述第二源极互连线位于一个所述源极上且与所述源极连接，每个所述源极上的所述第一源极互连线和所述第二源极互连线之间具有间隙，多个所述第一源极互连线并联连接；多个第一漏极互连线和多个第二漏极互连线，一个所述第一漏极互连线和一个所述第二漏极互连线位于一个所述漏极上且与所述漏极连接，每个所述漏极上的所述第一漏极互连线和所述第二漏极互连线之间具有间隙，多个所述第二漏极互连线并联连接，所述第一源极互连线、所述第二源极互连线、所述第一漏极互连线和所述第二漏极互连线位于第一互连层中；多个第三源极互连线和多个第三漏极互连线，一个所述第三源极互连线位于一个所述第二源极互连线上且与所述第二源极互连线连接，一个所述第三漏极互连线位于一个所述第一漏极互连线上且与所述第一漏极互连线连接，多个所述第三源极互连线并联连接，多个所述第三漏极互连线并联连接，所述第三源极互连线和所述第三漏极互连线位于第二互连层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 MOS晶体管的测试结构
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