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申请/专利权人：长电集成电路(绍兴)有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构的切割方法及半导体结构，半导体结构的切割方法包括：对半导体结构的塑封层边缘区域进行第一次切割以露出部分基底，半导体结构包括基底以及位于基底侧面以及上表层的塑封层；检测第一次切割是否存在切割偏移；在存在切割偏移的情况下，反向对基底边缘区域进行第二次切割，以使剩余的基底的边缘区域外露于塑封层。可以避免二次切割损伤塑封层，从而避免影响后续作业，还利于基底与塑封层解键合，避免解键合时半导体结构受到损伤，提高半导体结构的良率，提高生产效率。
主权项：1.一种半导体结构的切割方法，其特征在于，包括：对半导体结构的塑封层边缘区域进行第一次切割以露出部分基底，所述半导体结构包括基底以及位于所述基底侧面以及上表层的塑封层；检测所述第一次切割是否存在切割偏移；在存在切割偏移的情况下，反向对所述基底边缘区域进行第二次切割，以使剩余的基底的边缘区域外露于所述塑封层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长电集成电路(绍兴)有限公司 半导体结构的切割方法及半导体结构
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