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申请/专利权人：株式会社日本显示器
摘要：本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
主权项：1.半导体器件，其包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其与所述第1透明导电层设置在同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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