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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明一种提供减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面的栅极结构，其中，所述半导体衬底自下而上包括体硅层、埋氧层及锗硅层；于所述半导体结构的表面形成SiOCN层，其中，所述SiOCN层覆盖所述锗硅层的表面及所述栅极结构的侧壁与表面；对所述SiOCN层进行刻蚀以于所述栅极结构两侧形成侧墙，且在刻蚀过程中所述锗硅层的表面形成一层氧化层。通过本发明解决了现有的锗硅衬底损失严重而导致器件性能受到影响的问题。
主权项：1.一种减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面的栅极结构，其中，所述半导体衬底自下而上包括体硅层、埋氧层及锗硅层；于所述半导体结构的表面形成SiOCN层，其中，所述SiOCN层覆盖所述锗硅层的表面及所述栅极结构的侧壁与表面；对所述SiOCN层进行刻蚀以于所述栅极结构两侧形成侧墙，且在刻蚀过程中所述锗硅层的表面形成一层氧化层。
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