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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请提供了半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括导电层和绝缘层彼此交替层叠的第一区域以及牺牲层和绝缘层彼此交替层叠的第二区域；第一狭缝结构，其位于第一区域和第二区域之间的边界处并且包括穿过层叠结构的第一贯通部分和从第一贯通部分的侧壁延伸的第一突出部；第二狭缝结构，其位于边界处并且包括穿过层叠结构的第二贯通部分和从第二贯通部分的侧壁延伸并联接至第一突出部的第二突出部；电路，其位于层叠结构下方；以及接触插塞，其穿过层叠结构的第二区域并电连接到电路。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括层叠在彼此之上的绝缘层，所述层叠结构包括导电层和所述绝缘层彼此交替层叠的第一区域以及牺牲层和所述绝缘层彼此交替层叠的第二区域；第一狭缝结构，所述第一狭缝结构位于所述第一区域和所述第二区域之间的边界处并且包括穿过所述层叠结构的第一贯通部分和从所述第一贯通部分的侧壁延伸的第一突出部；第二狭缝结构，所述第二狭缝结构位于所述边界处并且包括穿过所述层叠结构的第二贯通部分和从所述第二贯通部分的侧壁延伸并联接至所述第一突出部的第二突出部；电路，所述电路位于所述层叠结构下方；以及接触插塞，所述接触插塞穿过所述层叠结构的所述第二区域并且电连接到所述电路，其中，所述第一突出部和所述第二突出部位于与所述导电层和所述牺牲层相对应的水平处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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