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套刻标记及其制备方法、半导体结构 

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申请/专利权人:粤芯半导体技术股份有限公司

摘要:本申请实施例涉及一种套刻标记及其制备方法、半导体结构。套刻标记包括:前层套刻标记,位于第一半导体材料层的表层;当层套刻标记,位于第二半导体材料层的表层,第二半导体材料层为外延层;其中,前层套刻标记呈凸起图案,第二半导体材料层中覆盖前层套刻标记的部分为凸起结构;前层套刻标记包括第一前层子标记,当层套刻标记包括第一当层子标记,第一当层子标记与第二半导体材料层中覆盖第一前层子标记的部分之间的距离关联于套刻误差;第一前层子标记包括多个间隔排列的图案片段,多个图案片段的外轮廓构成第一前层子标记的轮廓,第一前层子标记的轮廓用于参与套刻误差的量测。如此,改善了外延层的厚度和生长不定向性对套刻标记的影响。

主权项:1.一种套刻标记,其特征在于,所述套刻标记包括:前层套刻标记,位于第一半导体材料层的表层;当层套刻标记,位于第二半导体材料层的表层,所述第二半导体材料层为在所述第一半导体材料层上外延生长而形成的外延层;其中,所述前层套刻标记呈凸起图案,所述第二半导体材料层中覆盖所述前层套刻标记的部分为凸起结构;所述当层套刻标记和所述前层套刻标记在所述第一半导体材料层所在平面上的投影相互错开;所述前层套刻标记包括第一前层子标记,所述当层套刻标记包括与所述第一前层子标记对应的第一当层子标记,所述第一当层子标记与所述第二半导体材料层中覆盖所述第一前层子标记的部分之间的距离关联于套刻误差;所述第一前层子标记包括多个间隔排列的图案片段,多个所述图案片段的形状和大小均相同;多个所述图案片段的外轮廓构成所述第一前层子标记的轮廓,所述第一前层子标记的轮廓用于参与套刻误差的量测。

全文数据:

权利要求:

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