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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于基板上的第一沟道层和位于第一沟道层上的第二沟道层，第一沟道层和第二沟道层在与基板间隔开的同时在第一方向上延伸，并且包括2D半导体材料；栅极结构，位于基板上，在第二方向上延伸，并且被第一沟道层和第二沟道层穿透；以及源极漏极接触，位于栅极结构的侧表面上并且连接到第一沟道层和第二沟道层。所述栅极结构包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分，第一栅极部分位于基板与第一沟道层之间并且具有第一栅极长度，第二栅极部分位于第一沟道层与第二沟道层之间并且具有第二栅极长度，第三栅极部分位于第二沟道层的上表面上并且具有第三栅极长度。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板；第一沟道层，所述第一沟道层位于所述基板上，在与所述基板间隔开的同时在第一方向上延伸，并且包括二维半导体材料；第二沟道层，所述第二沟道层位于所述第一沟道层上，在与所述第一沟道层间隔开的同时在所述第一方向上延伸，并且包括所述二维半导体材料；栅极结构，所述栅极结构位于所述基板上，在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且被所述第一沟道层和所述第二沟道层穿透；以及源极漏极接触，所述源极漏极接触位于所述栅极结构的侧表面上，所述源极漏极接触连接到所述第一沟道层和所述第二沟道层，其中，所述栅极结构包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分，所述第一栅极部分位于所述基板与所述第一沟道层之间并且具有第一栅极长度，所述第二栅极部分位于所述第一沟道层与所述第二沟道层之间并且具有第二栅极长度，所述第三栅极部分位于所述第二沟道层的上表面上并且具有第三栅极长度，并且其中，所述第一栅极长度和所述第三栅极长度大于或小于所述第二栅极长度。
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