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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在第一鳍之上并围绕设置在第一鳍之上的第一沟道区域形成虚设栅极结构；在第一鳍之上围绕虚设栅极结构形成层间电介质ILD层；用栅极结构替代虚设栅极结构；在位于第一鳍的相反侧的栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，其中第一电介质插塞和第二电介质插塞将栅极结构切割成彼此分开的多个分段；去除栅极结构的位于第一电介质插塞和第二电介质插塞之间的分段以暴露第一沟道区域；去除暴露的第一沟道区域，其中在去除暴露的第一沟道区域之后，在ILD层中形成凹部；以及用电介质材料填充凹部。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出高于衬底并且彼此平行延伸的第一鳍、第二鳍和第三鳍，其中，所述第三鳍位于所述第一鳍和所述第二鳍之间；分别在所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍之上形成第一沟道区域、第二沟道区域和第三沟道区域；在所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍之上并围绕所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域形成栅极结构；在所述第一鳍之上、所述第二鳍之上、所述第三鳍之上并围绕所述栅极结构形成层间介质ILD层；在所述栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，以将所述栅极结构分隔成多个分段，其中，所述第一电介质插塞形成在所述第一鳍和所述第三鳍之间，并且所述第二电介质插塞形成在所述第三鳍和所述第二鳍之间；在形成所述第一电介质插塞和所述第二电介质插塞之后，执行第一蚀刻工艺，以去除所述栅极结构的设置在所述第一电介质插塞和所述第二电介质插塞之间的第一分段；在执行所述第一蚀刻工艺之后，执行与所述第一蚀刻工艺不同的第二蚀刻工艺以去除所述第三沟道区域，其中，在所述第二蚀刻工艺之后，在所述第一电介质插塞和所述第二电介质插塞之间的所述ILD层中形成凹部；以及用电介质材料填充所述凹部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法
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