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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开实施例提供了一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件，该制备方法包括：提供衬底；在上述衬底上生长低温成核层；以及在反应室的温度处于1000℃～1100℃且上述反应室的压力处于100Torr～300Torr的情况下，在上述低温成核层上生长氮化镓层，得到氮化镓。
主权项：1.一种氮化镓的制备方法，包括：提供衬底；在反应室的温度处于525℃～600℃的情况下，在所述衬底上生长低温成核层，所述低温成核层的材料为氮化铝，所述低温成核层的生长厚度范围为0.025～0.04μm，以及在反应室的温度处于1020℃～1040℃且所述反应室的压力处于250Torr～275Torr的情况下，在所述低温成核层上生长氮化镓层，得到所述氮化镓，氮化镓层的生长厚度大于1μm，氮化镓层中的碳杂质浓度低于1017cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件
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