买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

摘要：实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。

主权项：1.一种半导体装置，具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的半导体层，设于所述半导体基板上；第二导电型的第一半导体深区域，设于所述半导体基板与所述半导体层之间；第二导电型的第一保护环区域，所述第一保护环区域与所述第一半导体深区域包围所述半导体层的第一器件部分；第二导电型的第一分离区域，与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接，将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域；第一导电型的第一半导体区域，设于所述第一区域内；第二导电型的第一源极区域，设于所述第一半导体区域上；第二导电型的第一漂移区域，设于所述第一半导体区域上并且隔着所述第一半导体区域而与所述第一源极区域分离；第二导电型的第一漏极区域，设于所述第一漂移区域上，所述第一漏极区域的杂质浓度大于所述第一漂移区域的杂质浓度；第一栅极绝缘膜，设于所述第一区域上；第一栅极电极，设于所述第一栅极绝缘膜上；第一导电型的第二半导体区域，设于所述第二区域内；第二导电型的第二源极区域，设于所述第二半导体区域上；第二导电型的第二漂移区域，设于所述第二半导体区域上并且经由所述第二半导体区域而与所述第二源极区域分离；第二导电型的第二漏极区域，设于所述第二漂移区域上，所述第二漏极区域的杂质浓度大于所述第二漂移区域的杂质浓度；第二栅极绝缘膜，设于所述第二区域上；第二栅极电极，设于所述第二栅极绝缘膜上；以及第二导电型的第三半导体区域，设于所述半导体层上，并设于所述第一保护环区域的外部，所述第一半导体深区域与所述第一保护环区域以杯状包围所述第一器件部分，所述第三半导体区域位于所述杯状的外部，流经所述第三半导体区域的电流比流经所述第一半导体区域的电流小，所述第一器件部分包含在电流控制电路中，所述第三半导体区域包含在信号处理电路中，所述第一分离区域的宽度比所述第一保护环区域的宽度窄。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置