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一种简便的高效双POLO电池结构的制备方法 

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申请/专利权人:常州时创能源股份有限公司

摘要:本发明公开了一种简便的高效双POLO电池结构的制备方法,属于光伏技术领域,包括:S1、正面沉积;S2、图形化;S3、BSG沉积;S4、背面沉积;S5、退火;本发明的方法在硅片正面图形化后,在正面沉积BSG,在背面沉积隧穿氧化层和掺磷非晶硅层,然后通过共退火一步高温工序形成双面POLO结构,减少了工艺步骤,提高了工艺效率的同时降低了生产成本。本发明的方法在硅片正面采用BSG作为图形化后非poly区的硼源,退火后使BSG的硼源扩散到正面的非掺硼非晶硅区形成硼发射极,可减少硼扩死层的产生,从而提升钝化效果,同时,可增加掺杂多晶硅层硼掺杂浓度,降低接触区的接触电阻和金属复合,进而大幅提升电池效率。

主权项:1.一种简便的高效双POLO电池结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S1、正面沉积:在硅片表面沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层;S2、图形化:在正面选择性地去除隧穿氧化层和本征非晶硅层,保留栅线状的本征非晶硅层;S3、BSG沉积:在正面沉积BSG作为硼源;S4、背面沉积:在背面沉积隧穿氧化层和掺磷非晶硅层;S5、退火:对硅片进行共退火,使正面的掺硼非晶硅层和背面的掺磷非晶硅层同步晶化,并使正面沉积的BSG硼源扩散到非掺硼非晶硅层;S6、后续处理:进行后续处理,形成电池片。

全文数据:

权利要求:

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