龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
摘要：本发明提供了一种局部POLO电池结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在经过处理的硅片表面沉积超薄氧化层与第一非晶硅层并对所述第一非晶硅层进行掺杂获得第一掺杂非晶硅层；S2、进行选择性蚀刻，获得图案化的掺杂非晶硅结构，并在掺杂非晶硅结构以外获得绒面结构；S3、再在该硅片表面正面沉积一层超薄的第二非晶硅层并进行同型掺杂，形成超薄的第二掺杂非晶硅层；S4、在氧化氛围下高温推进，其中在具有两层掺杂非晶硅层的区域发生共退火和氧化，转变为POLO结构，同时表面具有少量氧化层BSG或PSG残留，在仅有超薄的第二掺杂非晶硅层的区域在高温氧化推进下被完全氧化成BSG或PSG，同时掺杂原子向下掺杂形成掺杂绒面区域。本发明的方法使用超薄的第二掺杂非晶硅作为掺杂绒面区与保护性BSG或PSG的掺杂源，能够避免富集层的产生，同时掺杂源的推进、晶化、氧化三步共用同一高温制程，节省了时间。
主权项：1.一种局部POLO电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在经过处理的硅片表面沉积超薄氧化层与第一非晶硅层并对所述第一非晶硅层进行掺杂获得第一掺杂非晶硅层；S2、进行选择性蚀刻，获得图案化的掺杂非晶硅结构，并在掺杂非晶硅结构以外获得绒面结构；S3、再在该硅片表面正面沉积一层超薄的第二非晶硅层并进行同型掺杂，形成超薄的第二掺杂非晶硅层；S4、在氧化氛围下高温推进，其中在具有两层掺杂非晶硅层的区域发生共退火和氧化，转变为POLO结构，同时表面具有少量氧化层BSG或PSG残留，在仅有超薄的第二掺杂非晶硅层的区域在高温氧化推进下被完全氧化成BSG或PSG，同时掺杂原子向下掺杂形成掺杂绒面区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种局部POLO电池结构的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号