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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了3D存储器器件。在一个实施方式中，3D存储器器件包括具有核心区域和阶梯区域的堆叠结构。核心区域包括分别与第一电介质层交错的导电层。阶梯区域的每个梯级具有与不同数量的第一电介质层交错的不同数量的导电层。阶梯区域具有穿透第一表面、所述梯级中的相应一个梯级、以及电介质材料的触点结构。所述触点结构中的每一个触点结构电连接到所述梯级中的一个梯级的不同数量的导电层中的接触导电层。阶梯区域具有第二电介质层，所述第二电介质层中的每一者将所述梯级中的相应一个梯级的不同数量的导电层中的除接触导电层之外的其余部分与相应的触点结构隔离。
主权项：1.一种方法，包括：提供具有第一表面和第二表面的堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括核心区域和阶梯区域，其中，所述核心区域包括分别与第一电介质层交错的导电层，其中，所述阶梯区域包括对应于所述导电层的梯级，并且其中，所述梯级中的每一个梯级包括与不同数量的第一电介质层交错的不同数量的导电层；形成对应于所述梯级的孔，其中，所述孔中的每一个孔从所述第一表面通过所述梯级中的相应一个梯级穿透到所述第二表面；在所述孔中的每一个孔的侧壁上沉积第二电介质层；通过所述梯级中的相应一个梯级中的所述孔中的每一个孔进行蚀刻，以暴露与相应孔绝缘的相应导电层中的相应接触导电层的部分，其中，所述相应接触导电层是所述梯级中的所述相应一个梯级的最靠近所述第一表面且最远离所述第二表面的导电层；以及在所述孔中的每一个孔中沉积一种或多种导电材料以与所述相应接触导电层接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于3D NAND器件的双向导电信号路径及其制造方法
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