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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明公开了一种集成超透镜的GaAs基单行载流子光电探测器，包括半导体部、金属电极和超透镜，半导体部包括自下而上同轴设置的衬底、缓冲层、n型接触层、非故意掺杂收集层、非故意掺杂吸收层、p型吸收层、p型势垒层和p型接触层，其中，非故意掺杂吸收层和p型吸收层的径向尺寸相同且小于衬底、缓冲层、n型接触层、非故意掺杂收集层、p型势垒层和p型接触层的径向尺寸；超透镜设置在p型接触层的上方，用于将入射光斑会聚到p型吸收层和非故意掺杂吸收层。本发明能同时兼顾短距离光互连系统中大带宽和高响应度。
主权项：1.一种集成超透镜的GaAs基单行载流子光电探测器，其特征在于，包括：半导体部，所述半导体部包括自下而上同轴设置的衬底、缓冲层、n型接触层、非故意掺杂收集层、非故意掺杂吸收层、p型吸收层、p型势垒层和p型接触层，其中，所述非故意掺杂吸收层和所述p型吸收层的径向尺寸相同且小于所述衬底、所述缓冲层、所述n型接触层、所述非故意掺杂收集层、所述p型势垒层和所述p型接触层的径向尺寸；金属电极，所述金属电极分为p型金属电极和n型金属电极，所述p型金属电极与p型接触层相连，所述n型金属电极与所述n型接触层相连；超透镜，所述超透镜集成在所述p型接触层的上方，用于将入射光斑会聚到所述p型吸收层和所述非故意掺杂吸收层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 集成超透镜的GaAs基单行载流子光电探测器
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