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无帽层GaAs HEMT外延结构、GaAs HEMT器件及其制作方法 

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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

摘要:本发明公开了一种无帽层GaAsHEMT外延结构、GaAsHEMT器件及其制作方法。无帽层GaAsHEMT外延结构包括:AlGaAsGaAs异质结,包括层叠设置的GaAs沟道层和A1GaAs势垒层,所述GaAs沟道层和所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形成有二维电子气沟道;本征GaAs保护层,层叠设置在所述AlGaAs势垒层上,所述本征GaAs保护层的厚度为2nm~3nm。本发明实施例提出的一种无帽层的GaAsHEMT器件的制作方法,通过优化欧姆金属组分和退火条件,获得了稳定且低接触电阻的欧姆接触。

主权项:1.一种无帽层GaAsHEMT外延结构,其特征在于,包括:A1GaAsGaAs异质结,包括层叠设置的GaAs沟道层和AlGaAs势垒层,所述GaAs沟道层和所述AlGaAs势垒层之间的界面区域形成有二维电子气沟道;本征GaAs保护层,层叠设置在所述AlGaAs势垒层上,所述本征GaAs保护层的厚度为2nm~3nm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 无帽层GaAs HEMT外延结构、GaAs HEMT器件及其制作方法

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