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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日：2019-01-16
公开（公告）日：2024-08-09
公开（公告）号：CN110060995B
专利技术分类：.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置。公开了一种晶体管装置和一种方法。该晶体管装置包括：布置在半导体主体中并且连接到漏极节点的漂移和漏极区；多个负载晶体管单元，其各自包括集成在半导体主体的第一区中的源极区；多个感测晶体管单元，其各自包括集成在半导体主体的第二区中的源极区；经由具有第一面积比电阻的第一源极导体电气连接到所述多个负载晶体管单元中的每一个的源极区的第一源极节点；以及经由具有第二面积比电阻的第二源极导体电气连接到所述多个感测晶体管单元中的每一个的源极区的第二源极节点。第二源极导体的面积比电阻大于第一源极导体的面积比电阻。
专利权项：1.一种晶体管装置，包括：布置在半导体主体100中并且连接到漏极节点D的漂移和漏极区10；多个负载晶体管单元201，其各自包括集成在半导体主体100的第一区110中的源极区21；多个感测晶体管单元202，其各自包括集成在半导体主体100的第二区120中的源极区21；经由第一源极导体301电气连接到所述多个负载晶体管单元201中的每一个的源极区21的第一源极节点S1；以及经由第二源极导体302电气连接到所述多个感测晶体管单元202中的每一个的源极区21的第二源极节点S2，其中第二源极导体302的电阻不同于第一源极导体301的电阻，并且其中第二源极导体302包括：连接到所述多个感测晶体管单元202中的每一个晶体管单元的源极区21的第二源极金属化部312；在半导体主体100的水平方向上与第二源极金属化部312间隔开的第二源极衬垫322；以及将第二源极金属化部312与第二源极衬垫322电气连接的连接线332。
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管装置
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