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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种HVCMOSCMP方法，包括以下步骤：采用现有先高k栅介质后金属栅工艺形成赝栅膜结构；定义并打开赝栅窗口；定义并打开MOS结构的沟槽区；刻蚀形成赝栅和沟槽；沟槽内沉积侧墙，执行设计工艺，保留侧墙氮化物作为CMP的阻碍层；沉积接触孔刻蚀阻挡层和第一层间介质层，在沟槽内形成氮化物和氧化物；执行CMP过刻蚀，CMP过刻蚀停留在赝栅上；去除赝栅。本发明通过对MOS结构沟槽设计能对CMP实现有效的控制，使赝栅多晶硅保证了完整性和高度的均匀性，最终形成高度较为统一的赝栅，达到对后续不同尺寸的金属栅高度进行精确控制，提高产品的均一性。
主权项：1.一种HVCMOSCMP方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，采用现有先高k栅介质后金属栅工艺形成赝栅膜结构；S2，定义并打开赝栅窗口；S3，定义并打开中压栅氧和高压栅氧上方硬掩膜的沟槽区；S4，刻蚀形成赝栅，在指定规则下在大尺寸赝栅上按规则形成MOS结构的沟槽，MOS结构的沟槽刻蚀停留在赝栅的无定型硅A-Si上；S5，沟槽内沉积侧墙，执行设计工艺，保留侧墙氮化物作为CMP的阻碍层；S6，沉积接触孔刻蚀阻挡层和第一层间介质层，在沟槽内形成氮化物和氧化物；S7，执行CMP过刻蚀，CMP过刻蚀停留在赝栅上；S8，去除赝栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 HV CMOS CMP方法
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