龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波升谱光电股份有限公司
摘要：本申请公开了一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器VCSEL及其制备方法。所述VCSEL包括第一、第二半导体层和设置在该两者之间的有源层，所述第一、第二半导体层分别与第一、第二DBR结构连接，所述第二DBR结构为导电DBR结构，所述导电DBR结构是采用电学击穿工艺对介质DBR结构进行处理后形成；所述第一、第二半导体层中的任一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。本申请VCSEL因采用了导电介质DBR结构，故而电极注入效率高，能在较大电流下稳定工作，寿命长，且制作工艺简单，可控性好，成本低，产品良率高。
主权项：1.一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层、第二半导体层之间的有源层，所述第一半导体层、第二半导体层分别与第一DBR结构、第二DBR结构连接，所述第一DBR结构为介质DBR，所述第二DBR结构为导电DBR结构，所述导电DBR结构是采用电学击穿工艺对介质DBR结构进行处理后形成，所述第一半导体层还与第一电极电连接；所述第一半导体层、第二半导体层中的任一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层；其中，所述电学击穿工艺的条件包括：电场采用正负交变电场，振幅从5V至50V逐渐增大，电压振幅的增大速率为0.1Vs-10Vs之间，正负电压施加的频率为1Hz-100Hz。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 宁波升谱光电股份有限公司 具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号