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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种GaN半导体高阻化的外延结构及其制备方法。外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、复合缓冲层以及GaN层，所述复合缓冲层经过后退火处理，所述复合缓冲层包括AlGaN缓冲层和GaN缓冲层。本发明提供的一种GaN半导体高阻化的外延结构及其制备方法，大大提高了GaN材料的方阻，尤其是通过提高刃位错浓度来补偿n型导电的背景载流子从而降低其浓度，且载流子迁移率受到的影响可以忽略不计，非刻意掺杂GaN外延层在施加高电压情况下的漏电得以进一步降低。本发明提供了一种能够实现高方阻、低背景载流子浓度、低漏电的高阻化的GaN外延结构及其制备方法。
主权项：1.一种GaN半导体高阻化的外延结构，其特征在于，由下至上依次包括衬底1、成核层2、复合缓冲层以及GaN层5，所述复合缓冲层经过后退火处理，所述复合缓冲层包括AlGaN缓冲层3和GaN缓冲层4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种GaN半导体高阻化的外延结构及其制备方法
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