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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体外延生长过程中背景n型载流子的抑制方法。包括S1.在衬底上生长应力缓冲层；S2.在所述应力缓冲层上生长氮化物外延层，包括氮化物漂移层和P型氮化物薄膜；首先，在所述应力缓冲层上生长氮化物漂移层；然后在所述氮化物漂移层上生长P型氮化物薄膜；其中，在生长氮化物外延层时，掺入Si掺杂剂或Ge掺杂剂，所用掺杂剂的摩尔流量为10‑8～10‑5molmin。本发明在生长氮化物外延层时引入一定浓度的Si或Ge杂质，使得在抑制其背景载流子浓度的同时又能不额外引入深能级陷阱，并且保证了较高的材料质量和迁移率，在上述氮化物外延层上再生长器件功能层，应用于功率电子器件领域，能较大程度地提升器件耐压性能。
主权项：1.一种半导体外延生长过程中背景n型载流子的抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在衬底上生长应力缓冲层；S2.在所述应力缓冲层上生长氮化物外延层，所述氮化物外延层包括氮化物漂移层和P型氮化物薄膜；首先，在所述应力缓冲层上生长氮化物漂移层；然后在所述氮化物漂移层上生长P型氮化物薄膜；其中，在生长氮化物漂移层和P型氮化物薄膜时，掺入Si掺杂剂或Ge掺杂剂，所用掺杂剂的摩尔流量为10-8～10-5molmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种半导体外延生长过程中背景n型载流子的抑制方法
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