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申请/专利权人：南京典格通信科技有限公司
摘要：本发明提供了一种兼容LDMOS和GaN功放的设计方法，包括如下步骤：通过对供电电路的设计优化，将GaN供电电路和LDMOS供电电路进行兼容性设计。通过一个正压的DAC或者类似电压调节电路如分压电路进行功放工作状态的调节；通过一个加法器的设计，DAC控制电压加上一个0电平或负压电平，通过控制中心切换，兼容了LDMOS正压和GaN负压的工作状态；通过漏极开关进行控制，实现了GaN和LDMOS的兼容。
主权项：1.一种兼容LDMOS和GaN功放的设计方法，所述LDMOS是指正压控制LDMOS功放，所述GaN功放是指负压控制的GaN功放；其特征在于：通过一个正压的DAC或者类似电压调节电路如分压电路进行功放工作状态的调节；通过一个加法器的设计，DAC控制电压加上一个0电平或负压电平，通过控制中心IO切换，兼容了LDMOS正压和GaN负压的工作状态；通过漏极开关进行控制，实现了GaN和LDMOS的兼容；控制中心IO切换到低电平，此时系统工作在LDMOS状态，此时开关SW2接地，导致开关SW1闭合导通，漏极供电VDD上电；开关SW3切换到地，此时功放栅压为DAC输出的正压；LDMOS实现正常工作；控制中心IO切换到高电平，此时系统工作在GaN状态，此时开关SW2悬空，开关SW1只有在负压发生模块产生REG标志信号时，才会闭合导通，漏极供电VDD上电；开关SW3切换到VSS，此时功放栅压为DAC输出的正压与VSS负压的和，VSS的绝对值大于DAC输出，实现负压控制；GaN实现正常工作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京典格通信科技有限公司 一种兼容LDMOS和GaN功放的设计方法
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