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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器及制备方法，光电探测器包括：SOI衬底、Ge外延层、金属光栅、第一电极和第二电极，其中，SOI衬底的顶层硅中设置有P区和N区，P区和N区间隔设置且贯穿顶层硅；Ge外延层位于P区和N区之间的顶层硅表面；金属光栅由若干金属纳米线形成，若干金属纳米线沿Ge外延层的长度方向分布在Ge外延层的表面；第一电极位于P区的表面，第二电极位于N区的表面。该光电探测器通过双机制等离增强提高了吸收效率，提高了光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽了光电探测器的探测范围，进一步提高硅基锗红外光电探测器在红外通信波段的探测能力，现了高性能的硅基锗红外光电探测器。
主权项：1.一种双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器，其特征在于，包括：SOI衬底1、Ge外延层2、金属光栅3、第一电极4和第二电极5，其中，所述SOI衬底1的顶层硅中设置有P区11和N区12，所述P区11和所述N区12间隔设置且贯穿所述顶层硅；所述Ge外延层2位于所述P区11和所述N区12之间的所述顶层硅表面；所述金属光栅3由若干金属纳米线形成，若干金属纳米线沿Ge外延层2的长度方向分布在所述Ge外延层2的表面；所述第一电极4位于所述P区11的表面，所述第二电极5位于所述N区12的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器及制备方法
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