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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种集成SBD的SiC场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET器件中集成SBD结构，在不影响器件源胞通流能力的同时，将原本在续流过程中只有PN结体二极管作为泄流路径，转变为同时有SBD和PN结两种体二极管作为路径，不仅减小了器件在续流过程中的导通损耗，而且也降低了器件双极退化效应的发生，使得器件可以更长期稳定的使用。
主权项：1.一种集成SBD的SiC场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在Sub层（1）上外延生长一层Drift层（2）；S200，在Drift层（2）的上表面通过离子注入初步形成N-区（3）；S300，在N-区（3）上通过离子注入初步形成P-body区（4）；S400，在P-body区（4）上通过离子注入初步形成NP区（5）；S500，在P-body区（4）上通过离子注入初步形成与NP区（5）连接的PP区（6），之后通过高温激活退火使注入区完全形成；S600，在N-区（3）的顶面生长一层栅氧化层（7）；S700，在栅氧化层（7）的顶面形成一层Poly层（8），作为器件的门电极；S800，在NP区（5）和Poly层（8）的顶面通过氧化物淀积方式形成一层介质层（9），隔离器件的门电极和源电极；S900，在NP区（5）和PP区（6）的顶面通过Ni金属溅射经热退火形成一层欧姆接触合金层（10）；S1000，在Drift层（2）和欧姆接触合金层（10）的顶面通过Ti金属溅射经热退火形成一层肖特基接触合金层（11）；S1100，在器件顶部通过AlCu金属溅射形成一层源级金属层（12），作为器件的源电极。
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