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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，包括：衬底；叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构，所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形。本发明的一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，通过设置余弦结构的抑制杂波单元，提高了滤波器抑制杂波的效果。
主权项：1.一种顶层设置抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构，包括：衬底；叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；其特征在于：还包括抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构，所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形，第一方向平行于所述衬底所在平面且垂直于第一电极指；所述第一电极指和第二电极指沿对称轴A对称分布，余弦波形的顶点B位于对称轴A上，顶点B位于第一电极指或第二电极指的端部；所述余弦波形为分布式金属结构或连续式金属结构；当余弦波形为分布式金属结构，抑制杂波单元仅位于第一电极指或各第二电极正上方，所述抑制杂波单元的外侧边缘与第一电极指第二电极指末端在第三方向的距离取值范围为0-0.1*L；所述第三方向平行于所述衬底所在平面，且与第一方向相交；单个所述抑制杂波单元沿第一方向的宽度取值范围为0.3-0.6*L，与第一方向的单个电极指的宽度相同；L为叉指换能器的工作波长。
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权利要求：
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